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標題: 半導體設備
 
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半導體設備

砷化鎵,以及矽,鍺和,使用有機半導體的半導體器件的半導體材料的電子性質的主要是電子元件。半導體器件,更換(真空管),打開離子在大多數應用中。他們使用在固態背面在高真空中的氣體的狀態或熱離子發射的電子傳導。

相互裝置的製造的晶片,或一個單一的半導體基板 - 所有億的製造的集成電路(ICS)的配置(例如,兩個低)幾個 - 一個單一的單個半導體器件的設備ID,如。

由除雜質是可能的操作是已知的作為他的行動容易摻雜的半導體材料是非常有用的。暴露出來了,它可能通過機械變形,在單晶或服用藥物來控制的電或磁半導體Jondoson'nun光熱引入的晶格。因此,半導體是能夠創造出優異的傳感器。的電流導通的半導體是通過電子和空穴的電荷載體“免費”一般被稱為移動或。在半導體中,從而大大的自由電子或空穴的數量增加時,半導體諸如矽摻雜有少量的雜質原子如硼和這些的例子。稱為符號(語音電子),然後鍵入“P”Hamyon'nun的包括對摻雜半導體,n(或空穴)P被稱為“n”型的孔,並包括在其電子大多數移動電荷載體的價格增加。為了控制P-和n-型摻雜劑的正確的位置和濃度,在裝置中使用的半導體材料,在工廠中有一個錯誤,在受控條件下和高的製造設施。在這裡,在n-型和p-型半導體連接在一起形成一個結,交界處被稱為作為PN。

二極管

二極管主要文章:
二極管是一種裝置,由從一個單一的pn結。形成的區域稱為的區域耗盡阻斷的電流的導通在該區域p-類型的n型區域中,交界處的半導體-型和n-型p,以執行在型p,n型電流數區域地區。因此,未來,特別是具有高電位側的P的偏見,目前實行容易,然而,該裝置是二極管,二極管在反向偏置電流是非常小的。

這是可能的,以產生一個孔對 - 增加的數量的載流子電子Shikyodoun免費Bandocheuru曝光光導電性。二極管優化被稱為光電二極管利用這種現象。化合物半導體二極管,可以用來生產如發光二極管和激光二極管。

晶體管[編輯]

晶體管主要文章:


結構NPN雙極結型晶體管(BJT)
形成由兩個PN結的任何構型或PNP NPN雙極結型晶體管。它通常是非常狹窄的底座,或區域,中間之間的分支點。向其它的終端區域的關係是已知的,在發射極和集電極。他注入了小電流通過之間的基極連接的基極和發射極電流是能夠執行,即使它是反向偏置 - 改變集電結的屬性。創建一個更大的電流之間的集電極和發射極的發射極電流通過控制 - 易趣數據庫。

的一種類型的場效應晶體管的半導體的導電性的原理操作,它有可能以增加或減少由存在晶體管的電場結束。它的導電性改變此輸入信息,它是在半導體中的自由電子和空穴的數目能夠增加。形成場效應晶體管(JFET)的接合金屬電極從散裝材料分離的氧化物層字段 - 可以形成在半導體場效應晶體管(MOSFET),由偏置的pn結施加 - 反向氧化氮。

MOSFET,IC是今天最常使用的是一種半導體器件。的柵電極,源極和漏極施加,以便產生的電場,用於控制導電性的兩個端子之間的“通道”。根據載波信道的類型,該設備可以是N溝道或P-溝道(電子)和MOSFET(孔)。 MOSFET,柵極部都有一個名稱它自己的“金屬”,是常用的在現代設備多晶矽。

的半導體器件的材料[編輯]

半導體材料主要文章:
最新矽最多(SI)是最廣泛使用的材料,在該半導體裝置中。低成本原料,相對簡單的處理,是目前最有用的溫度範圍內的組合,在各種競爭材料傷害。矽被用於製造半導體器件的製造中由Arrow圓垛足夠大的直徑(12英寸)今天300mm晶圓生產。

初始半導體材料廣泛使用,鍺(GE)是它的熱靈敏度,它是比矽的要好得多。是鍺,矽和矽鍺合金的設備,用於在高速,很多時候,今天,IBM是該設備的主要生產國。

寬的砷化鎵(GaAs)的,已被用於在設備更快,到現在為止,限制比的矽晶片的大批量生產的設備砷化鎵晶片尺寸小得多的直徑,它是這些物質的遠遠超過矽的成本已經很難形成一個大直徑的晶柱。

也有根據調查,或許多其他可用的數據。

能承受非常高的工作溫度和環境,相當程度的發現某些應用中,如原料的藍色發光二極管(LED)的電離輻射的存在,碳化矽(SiC)的半導體器件被用於它正在調查中。雪崩二極管從SiC製備。

銦化合物各種使用發光二極管(LED),半導體激光二極管(磷化銦,砷化銦,銻化銦)。硫化硒,正在研究中的太陽能電池的製造。

最常見的使用的有機半導體的有機發光二極管。
2012-11-3 02:05 PM#1
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